三星 7nm 工艺突破 全球首次极紫外光刻成功
   来源:zol中关村在线     2019年05月13日 11:09

随着硬件工艺制程越来越向 1nm 逼近,原有的半导体光刻工艺技术已经出现了越来越明显的局限性。因此,制程技术如果想要有更高的突破,并且在未来 7nm、5nm、3nm 制程节点上有所发展,那么就必须要有新的制程技术。

近日,根据外媒报道,三星已经完成了 7nm 新工艺的研发,比原进度提早了半年,这为三星与台积电争抢高通骁龙 855 代工订单奠定了基础。同时,7nm 制程工艺的成功,也意味着全球首例极紫外光刻技术的成功。同时,也使三星在与台积电竞争中占得先机。

此外,考虑到目前英特尔的 10nm 制程工艺依然尚未发布,因此三星在 7nm 制程上无疑领先了不少。EUV 极紫外光刻技术是下一代、甚至未来几代制程工艺的主要技术,英特尔 10nm 虽然依旧没有发布,但其 EUV 技术研发方面同样取得了不小的成就。

今年年底,英特尔有望推出 10nm 制程工艺处理器。而且从晶体管密度上来看,英特尔的 10nm 制程技术其实是要领先于三星 7nm 制程技术的。不过在三星占得先机之下,英特尔很有可能又会被冠上 " 挤牙膏 " 的称号。

制程 英特尔 光刻