三星是世界半导体技术领域的领导者，今天三星宣布其先进的铸造工艺组合增加了新的11纳米FinFET工艺技术(11LPP，低功耗)，为客户下一代产品提供了更广泛的的选择。通过对14LPP的改进，11LPP的性能提高了15%，而芯片面积减少了10%。

除了针对旗舰智能手机的移动处理器的10nm FinFET工艺之外，三星预计其11nm工艺会将差异化的价值带入中高端智能手机。新工艺技术预计将于2018年上半年投入生产。三星还证实，将在2018年下半年开始生产7LPP(极端紫外线)光刻技术。

自2014年以来，三星已经使用EUV光刻技术处理了近20万个晶片，最近在开发过程中看到了可见的结果，例如为256 Mb SRAM（静态随机存取存储器）实现80％的产量。

三星的《铸造路线图》最近更新的细节，包括11LPP和EUV的开发，将于2017年9月15日在东京举行的三星铸造论坛上详细阐述。三星铸造论坛今年早些时候在美国和韩国举行，与全球客户和合作伙伴共享三星的尖端工艺技术。