...术之04 通道原理联系层蒙版记忆,原理相同 和通道的作用 上

洪武波

[摘  要]记忆作为心理活动的一种，是客观世界反映在人脑的活动。研究人类记忆机制现象就要从人的脑部结构特征和功能及其与外界之间的联系去寻找答案。记忆是一种信息储存，没有记忆也就没有一切条件反射的神经活动，人类也就是没有心理活动。本文研究人的记忆是怎样产生的，及如何提高记忆、减少遗忘等几个问题。

[关键词]记忆  心理  特征  提高

中图分类号：Q42 文献标识码：B 文章编号：1009-914X（2016）27-0311-01

1、引言：

记忆是一切条件反射的基础，没有记忆也就没有一切条件反射的神经活动，也就没有心理活动。本文研究人的心理之一——记忆，研究它的产生机制，及如何提高记忆等几个问题。

2、神经元

2、1 神经元结构

神经系统结构是大脑最重要部分，大脑皮层存在着很多专门管理某些活动及储存信息的功能区。神经系统的结构和功能基本单位是神经元，也叫神经细胞。神经元由细胞体和突起构成。突起分为树突和轴突，每个神经元树突可能有很多，而轴突只有一个，末端是神经末梢1。

2、2 神经元功能

神经元的基本功能是产生并传导冲动。

神经冲动是沿神经元膜传导的动作电位。当神经元受到刺激后瞬间产生的膜电位波动变化，称为动作电位。动作电位以“局部电流”的方式从受刺激部位向远离部位沿神经元膜传导出去，这就是神经冲动的产生和传导过程。

2、3 连续的“动作电位”变化携带着信息

神经冲动不是单一的“动作电位”，由于受刺激是连续、多个的，产生的动作电位也是连续、多个的，也就是说多个连续的“动作电位”变化携带着信息传递。

3、神经突触

3、1 神经突触结构与功能

在神经系统中存在着大量的神经元，两个神经元之间的联系结构称为突触，突起越多，其与其他神经元联结成的突触也会越多。

当神经冲动传导到突触前膜时，引起突触前膜内的神经递质释放到突触间隙，并与突触后膜的受体结合成一定的结构，这里把它叫作受合体。

3、2 化学突触引起膜的动作痕迹刻录

神经递质与受体结合成一定的结构刻录了该动作电位的痕迹路线，以后该动作电位或局部电流较容易通过被受合体刻录下离子通道的后膜直接从前一个神经元传导到后一个神经元，这就电突触现象2。

4、圆圈公路规则

圆圈公路规则有多个神经元联结形成的圆圈公路规则，也有两神经元联结成的圆圈公路规则，大部分的圆圈是树突与另一个神经元的神经末梢联结成的大突起圆圈结构和小突起圆圈结构，动作电位可以在这些圆圈结构中反复循环地进行着活动，这种循环有迂回的特点。

5、记忆产生

5.1 动作电位的存储

神经元刻录了痕迹后，利用两神经元或多个神经元的圆圈路线或在某个机能柱里反复进行着连续“动作电位”的变化，这样在一定时间里也就是运行信息，也就是产生了记。神经突触后膜的刻录过程中也就是信息编码过程，此后这个圆圈里突触恢复静息电位时，在某种外界条件刺激下，诱发神经元轴丘产生“动作电位”，此“动作电位”便以原先刻录的痕迹路线强弱决定，然后反复进行着，这就是忆3。

5.2 相似的连续“动作电位”叠加产生新的动作电位：

相似的连续“动作电位”叠加产生新的动作电位，该动作电位就会沿着它所刻录的痕迹进行着传导，再进行化学突触反应。这就是我们接受新信息时进行思考问题。当问题解决的时候，也就是建立了新的动作电位，从而代替了原有的动作电位4。

6、记忆的过程：

记忆的过程是：感性记忆、短时记忆、长时记忆三个过程。

感性记忆又称即时记忆，是指信息通过大脑感觉记忆区，储存时间不超过1s，没有经过强化即刻消失。

短时记忆也就是第一级记忆，少数的事件、人名、数字等少量信息可记住几秒到1min。这种记忆有“即时应用”的特性。此种情况就是信息在突触膜上进行刻录，动作电位在短时间里进行循环。

长时记忆有近期记忆和长期记忆，近期记忆指事件过后可记忆几年，但不易回忆。有些记忆的痕迹，是不容易忘记的，随时可以回忆，这类记忆属于长期记忆。

7、几种记忆现象的解释：

7.1 遗忘与回忆：

在我们人脑中总有一个系统能够诱发产生动作电位，靠人脑的内部反射产生的，此诱发的动作电位可以沿着以前动作电位所刻录的痕迹进行传导，并再次反复进行着活动，这就是回忆。

7.2 逆行性遗忘

大脑时时刻刻都在接受外界的各种信息并刻录，当这种动作电位被外来强度很大的刺激所取代，其原先正在刻录的那些痕迹路线将不存在，而你以前刻录的痕迹路线由于处于静息状态，影响很小信息可以提取，这就是逆行性遗忘。

7.3 刻骨铭心的记忆

非条件刺激强化下的动作电位如果和某些信息的动作电位联合的时候或者在机能柱间动作电位可以越过，并刻录新的动作电位，此后在一定的非条件刺激下都能诱发这个动作电位的产生，在突触圆圈里或坏式路中进行着动作电位，此时信息的运作便是我们常说“睹物思情”。

7.4 记忆与创新思维

大脑皮层机能柱间的动作电位可以越过、整合，突触面小圈里电位越单一，诱发突触面小圈动作电位数量越多，或信息运作数越多，则越容易整合、联结，或激发相似的动作电位。此时运作起来的动作电位就是信息的浮现，这就是所谓的记忆与思考。创新则是这些动作电位联结产生新的动作电位，如果反复进行刻录，便是新的思维产生5。

7.5 更好提高记忆

如何更好地提高记忆呢？

首先动作电位越单一越好，刻录动作电位痕迹越深刻，强化次数就减少，也越容易得到休息或突触比较快地恢复静息电位。其次，提高强化次数和深度，在一定的时间里如果强化次数多或者强化深度深，就越容易运作起动作电位。另外，图形的能量大，感官接收信息转换动作电位的波幅一般较大，在突触膜面上刻录的痕迹深，正所谓“印象”深。

所以要提高记忆，关键在于信息的接收过程，首次接收信息如果专一深刻，及时强化，换能大，则信息浮现容易，记录的信息多就越趋向于所谓的意义记忆。

鉴于认识水平有限，这里只能代表我个人的观点。

参考文献：

[1] 艾洪滨主篇高等院校教材《人体解剖生理学》，科学出版社2009、09，P186.

[2] 胡集荣主编高等教材《人体解剖生理学》，东北师范大学出版社，1998、6，神经生理学部分.

[3] 刘恩山主编《中学生物教师参考用书》，北京师范大学出版社 神经系统部分.

[4] 张文杰主编高等自学教材《心理学》，人民日报出版社，2005、3，记忆与学习.

[5] 章志光主编高等自学教材《小学教育心理学》记忆部分.

致谢

在论文成文全过程中，得到闽南师范大学生物系导师张敬虎教授的悉心指导，特此感谢。